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Herstellung und Charakterisierung von Graphen Side Gate Transistoren

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In der vorliegenden Arbeit werden Graphen Side-Gate-Transistoren vorgestellt und elektrisch charakterisiert. Graphen besteht aus einem zweidimensionalen Gitter aus Kohlenstoffatomen, weshalb ein planares Transistordesign vorteilhaft ist. Da Side-Gate-Transistoren bisher jedoch wenig Beachtung finden, widmet sich diese Arbeit der Erforschung der elektrischen Parameter dieses interessanten Bauelementes.
Folgt in ca. 10 Arbeitstagen

Preis

41,50 CHF

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