- Start
- Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Angebote / Angebote:
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen. Der InhaltHalbleiterdiodenBipolartransistorenHF-Transistoren mit Streuparametern Sperrschicht-FeldeffekttransistorenLeistungs-MOS-FeldeffekttransistorOperationsverstärkerOptokopplerNTC- und PTC-SensorenRGB-FarbsensorPiezoelektrische SummerUltraschallwandlerGassensorenIonensensitiver FeldeffekttransistorSilizium-SolarzellenDie ZielgruppenStudierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen UniversitätenIngenieure und Physiker in der PraxisDer AutorProf. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Entwicklungsingenieur im Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), als Dozent an der Ingenieurhochschule Mittweida und als Professor an der Westsächsischen Hochschule Zwickau. An der Hochschule Bremen war er als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen tätig.
Noch nicht erschienen, April 2024